ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
4.4 采用 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)電池反向保護(hù)
電池反向保護(hù)的另一種方法是在低側(cè)（例如接地返回路徑）使用 N 溝道 MOSFET。工作原理類(lèi)似于圖 4-1 中的 P 溝道 MOSFET。在正常工作期間，MOSFET 的體二極管將被正向偏置并導(dǎo)通，直到 MOSFET 導(dǎo)通。當(dāng)電池輸入通過(guò)限流電阻對(duì)柵極充電時(shí)，MOSFET 會(huì)快速導(dǎo)通。在靜態(tài)電池反向或動(dòng)態(tài)電池反向條件下，當(dāng)電池輸入開(kāi)始變?yōu)樨?fù)后，由于柵源電壓開(kāi)始低于 MOSFET Vth 并變?yōu)樨?fù)，MOSFET 將關(guān)斷。
圖 4-8 采用 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)電池反向保護(hù)Topic Link Label4.1描述了動(dòng)態(tài)反極性期間的性能類(lèi)似于 P 溝道 MOSFET 解決方案。但是，并非所有系統(tǒng)都能承受開(kāi)/關(guān)或負(fù)載電流瞬變期間的系統(tǒng)接地電壓跳躍，因此在系統(tǒng)設(shè)計(jì)期間需要考慮這一因素。