ZHCABU4B June 2020 – October 2022 UCC21710-Q1 , UCC21732-Q1 , UCC5870-Q1
- 使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
- 1引言
- 2HEV/EV 概要
-
3HEV/EV 牽引逆變器驅(qū)動(dòng)級(jí)的設(shè)計(jì)
- 3.1 UCC217xx-Q1 簡(jiǎn)介
- 3.2 使用 UCC217xx-Q1 設(shè)計(jì)牽引逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
- 3.3 保護(hù)特性的說明
- 3.4 UCC217xx-Q1 的保護(hù)特性
- 3.5 UCC217xx-Q1 保護(hù)和監(jiān)控特性描述
- 3.6 UCC5870-Q1 簡(jiǎn)介
- 3.7 使用 UCC5870-Q1 設(shè)計(jì)牽引逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
- 3.8 保護(hù)特性的說明
- 3.9 UCC5870-Q1 的保護(hù)特性
- 3.10
UCC5870-Q1 保護(hù)和監(jiān)控特性描述
- 3.10.1 初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè) UVLO 和 OVLO
- 3.10.2 可編程去飽和 (DESAT) 檢測(cè)和過流 (OC)
- 3.10.3 可調(diào) 2 級(jí)或軟關(guān)斷
- 3.10.4 有源高壓鉗位
- 3.10.5 開關(guān)管柵極電壓 (VGE/VGS) 監(jiān)控
- 3.10.6 柵極閾值電壓監(jiān)控器
- 3.10.7 開關(guān)管防擊穿
- 3.10.8 主動(dòng)短路 (ASC)
- 3.10.9 集成式內(nèi)部或外部米勒鉗位
- 3.10.10 隔離式模數(shù)轉(zhuǎn)換器
- 3.10.11 短路鉗位
- 3.10.12 有源和無源下拉
- 3.10.13 驅(qū)動(dòng)器 IC 的熱關(guān)斷和溫度警告
- 3.10.14 時(shí)鐘監(jiān)控器和 CRC
- 3.10.15 SPI 和寄存器數(shù)據(jù)保護(hù)
- 4隔離式偏置電源架構(gòu)
- 5總結(jié)
- 6參考文獻(xiàn)
- 7修訂歷史記錄
3.10.6 柵極閾值電壓監(jiān)控器
作為診斷功能，柵極閾值電壓監(jiān)控器將測(cè)量的閾值電壓反饋給 MCU，以判斷功率晶體管的運(yùn)行狀況，如圖 3-21 和圖 3-22 中所述。這有助于確定系統(tǒng)壽命以及稍后發(fā)生失效的可能性。柵極閾值電壓監(jiān)控器會(huì)測(cè)量 SiC MOSFET 或 IGBT 的實(shí)際閾值電壓。啟用時(shí)，DESAT 和 OUTH 之間的開關(guān)打開，恒流源為功率晶體管的柵極電容充電，從而使柵極電壓逐漸上升。一旦晶體管通道開始導(dǎo)通，柵極電壓自然保持在閾值電壓電平，因?yàn)楣β示w管處于二極管配置中。在消隱時(shí)間 tdVGTHM 之后，集成 ADC 對(duì)柵極電壓進(jìn)行采樣，并將測(cè)量結(jié)果報(bào)告給 ADC 數(shù)據(jù)寄存器。
圖 3-21 柵極電容器充電時(shí)的柵極電壓閾值監(jiān)控
圖 3-22 功率晶體管采用二極管配置時(shí)的柵極電壓閾值監(jiān)控