如前幾節(jié)所述，DESAT 和 OCP/SCP 會(huì)發(fā)回故障指示并觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉 IGBT 或 SiC MOSFET。驅(qū)動(dòng)器啟動(dòng) 2 級(jí)關(guān)斷或軟關(guān)斷以安全關(guān)斷 IGBT 或 MOSFET，從而防止由于高瞬態(tài)電流而導(dǎo)致器件上出現(xiàn)較大的電壓過沖。

兩級(jí)關(guān)斷 (2LTOFF) 功能可在某些故障條件下限制關(guān)斷期間的晶體管電流。當(dāng)觸發(fā) 2LTOFF 時(shí)，功率晶體管的柵極受控以使晶體管在線性區(qū)域中運(yùn)行，在此區(qū)域中，通道電流由柵極端子上的電壓電平控制。通過以下方式降低功率晶體管電流：在 t2LOFF 內(nèi)將柵極電壓控制為中間電壓或平坦電壓 (V2LOFF)，然后降低柵極以關(guān)閉功率晶體管。當(dāng) 2LTOFF 處于運(yùn)行狀態(tài)時(shí)，OUTL 會(huì)灌入電流，以便將開關(guān)管的柵極電容器放電至平坦電壓。平坦電壓電平和持續(xù)時(shí)間是可配置的。在保持平坦電壓達(dá)到編程時(shí)間后，柵極通過軟關(guān)斷電流完全放電，或通過 OUTL 驅(qū)動(dòng)器正常拉低?？梢栽谂渲眉拇嫫髦袉⒂密涥P(guān)斷電流并選擇電平。

軟關(guān)斷 (STO) 功能是另一種保護(hù)功率晶體管不受因寄生環(huán)路電感在 VCE 上引起的電壓尖峰所致的 OV 損壞的方法。STO 會(huì)減慢關(guān)斷過程以限制 di/dt 速率，并限制環(huán)路電感引起的電壓尖峰。在 STO 期間，OUTL 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度會(huì)降低到使用 SPI 編程的閾值。STO 功能針對(duì) SC/OC 和/或 DESAT 故障啟用。

逆變器不僅可以防止開關(guān)管損壞，還可以防止向電機(jī)繞組施加高電壓，這也會(huì)縮短電機(jī)本身的壽命。