在自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)測(cè)得（除非另有說明）
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最小值 |
標(biāo)稱值 |
最大值 |
單位 |
| VDD |
電源電壓范圍 |
VA19、1.9V 模擬電源(2) |
1.8 |
1.9 |
2.0 |
V |
| VA11、1.1V 模擬電源(2) |
1.05 |
1.1 |
1.15 |
| VD11、1.1V 數(shù)字電源(3) |
1.05 |
1.1 |
1.15 |
| VCMI |
輸入共模電壓 |
INA+、INA–、INB+、INB–(2) |
-50 |
0 |
100 |
mV |
| CLK+、CLK-、SYSREF+、SYSREF-(2)(4) |
0 |
0.3 |
0.55 |
V |
| TMSTP+、TMSTP–(3)(5) |
0 |
0.3 |
0.55 |
| VID |
輸入電壓、差分峰峰值電壓 |
CLK+ 至 CLK–、SYSREF+ 至 SYSREF–、TMSTP+ 至 TMSTP– |
0.4 |
1.0 |
2.0 |
VPP-DIFF |
| INA+ 至 INA–，INB+ 至 INB– |
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0.8(6) |
| IC_TD |
溫度二極管輸入電流 |
TDIODE+ 至 TDIODE– |
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100 |
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μA |
| CL |
BG 最大負(fù)載電容 |
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50 |
pF |
| IO |
BG 最大輸出電流 |
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100 |
μA |
| DC |
輸入時(shí)鐘占空比 |
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30 |
50 |
70 |
% |
| TA |
自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍 |
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-55 |
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125 |
°C |
| TJ |
工作結(jié)溫 |
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150(1) |
°C |
(1) 芯片的工作溫度設(shè)計(jì)為 Tj = 150°C，Tj = 125°C 時(shí)器件和芯片金屬化降級(jí)高達(dá) 150,000 POH 連續(xù)運(yùn)行。但是，如果在高于 Tj = 105°C 結(jié)溫下長(zhǎng)時(shí)間使用，可能會(huì)增加封裝時(shí)基故障 (FIT) 率。
(2) 測(cè)量至 AGND。
(3) 測(cè)量至 DGND。
(4) TI 強(qiáng)烈建議對(duì) CLK± 進(jìn)行交流耦合，并將 DEVCLK_LVPECL_EN 設(shè)置為 0，以使 CLK± 自偏置到最佳輸入共模電壓，從而實(shí)現(xiàn)最高性能。TI 建議對(duì) SYSREF± 進(jìn)行交流耦合，除非需要直流耦合，在這種情況下，必須使用 LVPECL 輸入模式 (SYSREF_LVPECL_EN = 1)。
(5) 無論是 TMSTP_LVPECL_EN=0 時(shí)的交流耦合，還是 TMSTP_LVPECL_EN=1 時(shí)的直流耦合，TMSTP± 都沒有內(nèi)部偏置，需要從外部對(duì) TMSTP± 進(jìn)行偏置。
(6) 當(dāng) INA± 或 INB± 的 VID 超出由 INA± 的 FS_RANGE_A 或 INB± 的 FS_RANGE_B 設(shè)置的編程滿量程電壓 (V FS) 時(shí)，ADC 輸出代碼將飽和。