ZHCSYH1 June 2025 AFE10004-EP
ADVANCE INFORMATION
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
在完成 EEPROM 加載序列之前，器件會執(zhí)行 CRC 錯誤檢查。CRC 多項式為 x12 + x11 + x3 + x2 + x + 1。CRC 檢查結(jié)果通過 EECRC 位進(jìn)行報告。如果檢測到 CRC 錯誤，則操作存儲器值會受到影響；請重置器件或再次刻錄 EEPROM 以實現(xiàn)正常運(yùn)行。
為了提高穩(wěn)健性，我們將基于漢明碼的單錯校正和雙錯檢測 (SECDED) 電路添加到 LUT 頁面（第 4 頁和第 5 頁）的數(shù)據(jù)中。SECDED 電路使用四個漢明碼位和一個奇偶校驗位。交錯式漢明和 LUT 數(shù)據(jù)存儲在 EEPROM 中，表 6-10 展示了這些位。
| 數(shù)據(jù)和位的位置 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 操作存儲器中的數(shù)據(jù)和漢明碼位 | P | H3 | H2 | H1 | H0 | X | X | X | D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 | |||||||
| 數(shù)據(jù)和漢明碼交錯位 | X | X | X | D7 | D6 | D5 | D4 | H3 | D3 | D2 | D1 | H2 | D0 | H1 | H0 | P | |||||||
SECDED 電路會檢查每次 LUT 寄存器訪問時的數(shù)據(jù)完整性。如果相關(guān) LUT 數(shù)據(jù)寄存器中沒有錯誤，則 HAMM 寄存器中的奇偶校驗位 (P) 和四個漢明碼位 (H[3:0]) 等于全零。如果 P = 1，則檢測到并糾正了單個錯誤。H[3:0] 位中的值表示位錯誤相對于交錯位的位置。例如，如果 P = 1 且 H[3:0] = 0x5，則表示在 D1 中檢測到錯誤并進(jìn)行糾正。
如果 P = 0 且 H[3:0] ≠ 0，則表示檢測到雙錯誤。在這種情況下，不會進(jìn)行任何糾正。
表 6-11 總結(jié)了器件 EEPROM 完整性檢查。
| 狀態(tài)位名稱 | 說明 |
|---|---|
| EECRC | 0 = 未檢測到 CRC 錯誤。 1 = EEPROM 加載期間檢測到 CRC 錯誤。操作存儲器數(shù)據(jù)被泄露。 |
| EERDY | 0 = 正在進(jìn)行 EEPROM 刻錄。 1 = EEPROM 刻錄完成。 |
| DED | 0 = 未檢測到雙位錯誤。 1 = 訪問操作存儲器中的 LUT 寄存器時檢測到雙位錯誤。錯誤未得到糾正。 |
| SED | 0 = 未檢測到單位錯誤。 1 = 訪問操作存儲器中的 LUT 寄存器時檢測單位錯誤。錯誤得到糾正。 |