ZHCSYH1 June 2025 AFE10004-EP
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在耗盡模式 FET 中,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加負(fù)電壓時(shí),通道內(nèi)會形成載波耗盡區(qū)域,從而限制電流流動。在沒有負(fù)柵極偏置電壓的情況下,通道完全打開,最大電流可以從漏極流向源極,這可能因電過應(yīng)力而迅速損壞器件。當(dāng)柵極偏置電壓變?yōu)楦?fù)值時(shí),器件會達(dá)到夾斷狀態(tài),此時(shí)所有漏源電流都受到限制,F(xiàn)ET 實(shí)際上處于關(guān)斷狀態(tài)。