ZHCAB63H December 2018 – May 2024 CC1310 , CC1312R , CC1314R10 , CC1350 , CC1352P , CC1352R , CC1354P10 , CC1354R10 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2652P , CC2652R , CC2652R7 , CC2652RB , CC2652RSIP , CC2674P10 , CC2674R10
無線電需要以 24/48MHz 晶體作為頻率基準(zhǔn)。
對于 CC26x2/CC13x2，在載波的 N x 48MHz 偏移處會有雜散。這些雜散是由在晶體與 XOSC 調(diào)諧電容器（與片外電容一同構(gòu)成振蕩器槽）之間來回流動(dòng)的電流引起的。由于晶體槽具有高 Q 值，該電流相當(dāng)大，并可能會在與 PA 和 VCO 共享的電源軌上產(chǎn)生 IR 壓降。與默認(rèn)設(shè)置相比，將 XOSC 調(diào)諧電容器設(shè)置為零可將最大雜散降低大概 5dB。
內(nèi)部電容器陣列可用于大多數(shù)用例，但是，如果系統(tǒng)需要遵循 ARIB STD T-108 和中國關(guān)于 470–510MHz 頻帶的法規(guī)以及當(dāng)使用 +20dBm PA 時(shí)，建議使用外部晶體負(fù)載電容器并將內(nèi)部 XOSC 調(diào)諧電容器設(shè)置為零。有關(guān)如何設(shè)置內(nèi)部 XOSC 調(diào)諧電容器的信息，請參閱節(jié) 6.4。