ZHCAAN8F May 2023 – August 2024 AM67 , AM67A , AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA821U , DRA821U-Q1 , DRA829J , DRA829J-Q1 , DRA829V , DRA829V-Q1 , TDA4AEN-Q1 , TDA4AH-Q1 , TDA4AL-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4APE-Q1 , TDA4VE-Q1 , TDA4VEN-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VL-Q1 , TDA4VM , TDA4VM-Q1 , TDA4VP-Q1 , TDA4VPE-Q1
需要使用大容量旁路電容器以實(shí)現(xiàn) DDR SDRAM 和其他電路的中速旁路。表 1-2 包含所需大容量旁路電容器的最小數(shù)量和最小電容。表 1-2 僅滿(mǎn)足處理器 DDR PHY 的旁路需求。其他電路可能需要額外的大容量旁路電容。有關(guān) SDRAM 器件的任何其他去耦要求,請(qǐng)參閱制造商數(shù)據(jù)表。
編號(hào) | 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
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1 | VDDS_DDR 大容量旁路電容器數(shù)量(1) | 1 (2) | 器件 | |
2 | VDDS_DDR 大容量旁路總電容 | 10 (2) | μF | |
3 | VDDS_DDR_BIAS 旁路電容器數(shù)量(1) | 1 (2) | 器件 | |
4 | VDDS_DDR_BIAS 大容量旁路總電容 | 10 (2) | μF |