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1.5.2 高速旁路電容器

高速 (HS) 旁路電容器對(duì)于 DDR 接口的正常運(yùn)行至關(guān)重要。更大限度地減小連接到 VDDS_DDR 和相關(guān)接地接頭的 HS 旁路電容器的寄生串聯(lián)電感尤為重要。表 1-3 包含針對(duì) HS 旁路電容器和 PCB 上的電源接頭的規(guī)格。一般來說，TI 建議：

安裝盡可能多的 HS 旁路電容器。
更大限度地減小從旁路電容器到被旁路的引腳和焊球的距離。
使用物理尺寸盡可能小且具有最高可現(xiàn)用電容的陶瓷電容器。
使用盡可能寬的布線和盡可能大的過孔尺寸將旁路電容器焊盤連接到其過孔。
盡可能減少過孔共享。請(qǐng)注意表 1-3 中顯示的對(duì)過孔共享的限制。
使用三端電容器，而不是兩端電容器。三端電容器的封裝電感較低，可為電力輸送提供整體較低的環(huán)路電感。一個(gè)三端電容器通?？梢蕴娲鄠€(gè)兩端電容器。

有關(guān)任何其他 SDRAM 要求，請(qǐng)參閱制造商的數(shù)據(jù)表。

表 1-3 高速旁路電容器

編號(hào)	參數(shù)	最小值	典型值	最大值	單位
1	HS 旁路電容器封裝尺寸⁽¹⁾		0201	0402	Mil
2	HS 旁路電容器到被旁路的處理器的距離⁽²⁾⁽³⁾⁽⁴⁾			400	Mil
3	每個(gè) VDDS_DDR 電源軌的處理器 HS 旁路電容器數(shù)量	12			器件
4	每個(gè) VDDS_DDR 電源軌的處理器 HS 旁路電容器總電容	3.7			μF
5	每個(gè)器件電源/接地焊球的連接過孔數(shù)量	1			個(gè)過孔
6	從處理器電源/接地焊球到連接過孔的布線長(zhǎng)度⁽²⁾		35	70	Mil
7	HS 旁路電容器到被旁路的 DDR 器件的距離⁽⁵⁾			150	Mil
18	DDR 器件 HS 旁路電容器數(shù)量⁽⁶⁾	12			器件
19	DDR 器件 HS 旁路電容器總電容⁽⁶⁾	0.85			μF
10	每個(gè) DDR 器件電源/接地焊球的連接過孔數(shù)量	1			個(gè)過孔
11	從 DDR 器件電源/接地焊球到連接過孔的布線長(zhǎng)度⁽²⁾⁽⁸⁾		35	60	Mil
12	每個(gè) HS 電容器的連接過孔數(shù)量⁽⁷⁾⁽⁸⁾	2			個(gè)過孔
13	從旁路電容器到連接過孔的布線長(zhǎng)度⁽²⁾⁽⁸⁾		35	100	Mil

(1) LxW，10mil 單位，即 0402 是一種 40 x 20mil 表面貼裝電容器。

(2) 越近/越短越好。

(3) 從最近的處理器電源或接地焊球到電容器封裝中心進(jìn)行測(cè)量。

(4) 其中五個(gè)電容器應(yīng)位于處理器下方的 VDDS_DDR 焊球簇中。其中兩個(gè)電容器應(yīng)位于處理器下方的 VDDS_DDR_BIAS 焊球簇中。

(5) 從 DDR 器件電源或接地焊球到電容器封裝中心進(jìn)行測(cè)量。請(qǐng)參閱 SDRAM 制造商提供的指南。

(6) 每個(gè) DDR 器件。更多相關(guān)信息，請(qǐng)參閱 SDRAM 制造商提供的指南。

(7) 僅當(dāng)附加 HS 旁路電容器安裝在電路板的另一側(cè)時(shí)，它才能共享連接過孔。不允許在電路板的同一側(cè)共享過孔。

(8) HS 旁路電容器可與安裝在 PCB 同一側(cè)的 DDR 器件共享一個(gè)過孔。應(yīng)使用較寬的布線進(jìn)行連接，并且從電容器焊盤到 DDR 器件焊盤的長(zhǎng)度應(yīng)小于 150mil。