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ZHCSUD9A January 2024 – February 2025 LMK5C33216AS1

PRODUCTION DATA

表 8-14 匯總了 TARGET_ADR_MSB 和 EEREV 字段的 SRAM 與 EEPROM 地址。這些字節(jié)只能由使用直接寫入方法或混合方法進(jìn)行 EEPROM 編程寫入?？梢赃x擇修改這些字節(jié)的出廠默認(rèn)設(shè)置。

表 8-14 EEPROM 中的用戶可編程字段

SRAM/EEPROM 地址字節(jié)編號(hào)（十進(jìn)制）	SRAM/EEPROM 地址字節(jié)編號(hào)（十六進(jìn)制）	SRAM/EEPROM 字段名稱	說明
12	0x0C	TARGET_ADR_MSB	I²C 目標(biāo)地址 MSB 位可以寫入位 TARGET_ADR_MSB[7:3]，以便設(shè)置 7 位外設(shè)地址的五個(gè) MSB。TARGET_ADR_MSB[2:0] 必須以 0 寫入。只能通過對(duì) SRAM 和 EEPROM 進(jìn)行編程來修改 TARGET_ADR_MSB。器件當(dāng)前使用的 TARGET_ADR_MSB 值可由只讀寄存器 R18 回讀。有關(guān)更多 I²C 地址詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱 GPIO1 和 SCS_ADD 功能和 I²C 串行接口。
13	0x0D	EEREV	EEPROM 映像修訂號(hào)。可以寫入 EEREV 以設(shè)置 EEPROM 映像修訂號(hào)或任何客戶特定的數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)器件可追溯性。只能通過對(duì) SRAM 和 EEPROM 進(jìn)行編程來修改 EEREV。器件當(dāng)前使用的 EEREV 值可由只讀寄存器 R19 回讀。

SRAM/EEPROM 地址字節(jié)編號(hào)（十進(jìn)制）

SRAM/EEPROM 地址字節(jié)編號(hào)（十六進(jìn)制）

SRAM/EEPROM 字段名稱

說明

0x0C

TARGET_ADR_MSB

I²C 目標(biāo)地址 MSB 位

可以寫入位 TARGET_ADR_MSB[7:3]，以便設(shè)置 7 位外設(shè)地址的五個(gè) MSB。TARGET_ADR_MSB[2:0] 必須以 0 寫入。

只能通過對(duì) SRAM 和 EEPROM 進(jìn)行編程來修改 TARGET_ADR_MSB。器件當(dāng)前使用的 TARGET_ADR_MSB 值可由只讀寄存器 R18 回讀。

有關(guān)更多 I²C 地址詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱 GPIO1 和 SCS_ADD 功能和 I²C 串行接口。

0x0D

EEREV

EEPROM 映像修訂號(hào)。

可以寫入 EEREV 以設(shè)置 EEPROM 映像修訂號(hào)或任何客戶特定的數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)器件可追溯性。

只能通過對(duì) SRAM 和 EEPROM 進(jìn)行編程來修改 EEREV。器件當(dāng)前使用的 EEREV 值可由只讀寄存器 R19 回讀。