ZHCSUD9A January 2024 – February 2025 LMK5C33216AS1
PRODUCTION DATA
表 8-14 匯總了 TARGET_ADR_MSB 和 EEREV 字段的 SRAM 與 EEPROM 地址。這些字節(jié)只能由 使用直接寫入方法或混合方法進行 EEPROM 編程 寫入。可以選擇修改這些字節(jié)的出廠默認設(shè)置。
| SRAM/EEPROM 地址字節(jié)編號（十進制） | SRAM/EEPROM 地址字節(jié)編號（十六進制） | SRAM/EEPROM 字段名稱 | 說明 |
|---|---|---|---|
| 12 | 0x0C | TARGET_ADR_MSB |
I2C 目標地址 MSB 位 可以寫入位 TARGET_ADR_MSB[7:3]，以便設(shè)置 7 位外設(shè)地址的五個 MSB。TARGET_ADR_MSB[2:0] 必須以 0 寫入。 只能通過對 SRAM 和 EEPROM 進行編程來修改 TARGET_ADR_MSB。器件當前使用的 TARGET_ADR_MSB 值可由只讀寄存器 R18 回讀。 有關(guān)更多 I2C 地址詳細信息，請參閱 GPIO1 和 SCS_ADD 功能 和 I2C 串行接口。 |
| 13 | 0x0D | EEREV | EEPROM 映像修訂號。 可以寫入 EEREV 以設(shè)置 EEPROM 映像修訂號或任何客戶特定的數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)器件可追溯性。 只能通過對 SRAM 和 EEPROM 進行編程來修改 EEREV。器件當前使用的 EEREV 值可由只讀寄存器 R19 回讀。 |