6.1 絕對最大額定值

在自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)測得（除非另有說明）⁽¹⁾⁽²⁾

參數(shù)			最小值	最大值	單位
VDD_*⁽³⁾	內(nèi)核電源		-0.3	1.05	V
VDDAR_*⁽³⁾	RAM 電源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_*⁽³⁾	用于 0.8V 域的模擬電源		-0.3	1.05	V
VDDA_1P8_*⁽³⁾	用于 1.8V PHY 域的模擬電源		-0.3	2.2	V
VDDA_3P3_USB	用于 3.3V USB 域的模擬電源		-0.3	3.8	V
VDDA_*⁽³⁾	用于 1.8V PLL 和其他域的模擬電源		-0.3	2.2	V
VDDS_DDR_*⁽³⁾	DDR 接口電源		-0.3	1.2	V
VDDS_MMC0	MMC0 IO 電源		-0.3	2.2	V
VDDSHV*⁽³⁾	雙路電壓 LVCMOS IO 電源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV*⁽³⁾	雙路電壓 LVCMOS IO 電源	3.3V	-0.3	3.8	V
VPP_CORE VPP MCU	電子保險絲域的電源電壓范圍		-0.3	1.89	V
USB0_VBUS⁽⁹⁾	USB VBUS 比較器輸入的電壓范圍		-0.3	3.6	V
所有失效防護 IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓		I2C0_SCL、I2C0_SDA、WKUP_I2C0_SCL、WKUP_I2C0_SDA、MCU_I2C0_SCL、MCU_I2C0_SDA、EXTINTn	-0.3	3.8	V
所有失效防護 IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓		MCU_PORz、PORz	-0.3	3.8	V
所有其他 IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓⁽⁴⁾		VMON1_ER_VSYS⁽⁸⁾、VMON3_IR_VEXT1P8、VMON4_IR_VEXT1P8	-0.3	2.2	V
		VMON2_IR_VCPU	-0.3	1.05	V
		VMON5_IR_VEXT3P3	-0.3	3.8	V
		所有其他 IO 引腳	-0.3	IO 電源電壓 + 0.3	V
IO 引腳的瞬態(tài)過沖和下沖規(guī)格		20% 的 IO 電源電壓在信號周期的 20% 以內(nèi) 圖 6-1（請參閱 IO 瞬態(tài)電壓范圍）		0.2 × VDD⁽⁷⁾	V
閂鎖性能，II 級 (125°C)⁽⁵⁾		電流測試	-100	100	mA
閂鎖性能，II 級 (125°C)⁽⁵⁾		過壓 (OV) 測試	不適用	1.5 × VDD⁽⁷⁾	V
T_STG⁽⁶⁾		貯存溫度	-55	+150	°C

(1) 超出“絕對最大額定值”運行可能會對器件造成永久損壞。絕對最大額定值并不表示器件在這些條件下以及在建議運行條件以外的任何其他條件下能夠正常運行。如果超出“建議運行條件”但在“絕對最大額定值”范圍內(nèi)使用，器件可能不會完全正常運行，這可能影響器件的可靠性、功能和性能并縮短器件壽命。

(2) 除非另有說明，否則所有電壓值均以其關(guān)聯(lián)的 VSS 或 VSSA_x 為基準(zhǔn)。

(3) VDD_* 包括：VDD_CORE、VDD_CPU、VDD_MCU、VDD_MCU_WAKE1、VDD_WAKE0
VDDAR_* 包括：VDDAR_CORE、VDDAR_CPU、VDDAR_MCU
VDDA_0P8_* 包括：VDDA_0P8_CSIRX0_1、VDDA_0P8_CSIRX2、VDDA_0P8_DLL_MMC0、VDDA_0P8_DSITX、VDDA_0P8_DSITX_C、VDDA_0P8_PLL_DDR0、VDDA_0P8_PLL_DDR1、VDDA_0P8_PLL_DDR2、VDDA_0P8_PLL_DDR3、VDDA_0P8_SERDES_C0_1、VDDA_0P8_SERDES_C2、VDDA_0P8_SERDES_C4、VDDA_0P8_SERDES0_1、VDDA_0P8_SERDES2、VDDA_0P8_SERDES4、VDDA_0P8_UFS、VDDA_0P8_USB
VDDA_1P8_* 包括：VDDA_1P8_CSIRX0_1、VDDA_1P8_CSIRX2、VDDA_1P8_DSITX、VDDA_1P8_SERDES0_1、VDDA_1P8_SERDES2、VDDA_1P8_SERDES2_4、VDDA_1P8_SERDES4、VDDA_1P8_UFS、VDDA_1P8_USB
VDDA_* 包括：VDDA_ADC0、VDDA_ADC1、VDDA_MCU_PLLGRP0、VDDA_MCU_TEMP、VDDA_OSC1、VDDA_PLLGRP0、VDDA_PLLGRP1、VDDA_PLLGRP10、VDDA_PLLGRP12、VDDA_PLLGRP13、VDDA_PLLGRP2、VDDA_PLLGRP5、VDDA_PLLGRP6、VDDA_PLLGRP7、VDDA_PLLGRP8、VDDA_PLLGRP9、VDDA_POR_WKUP、VDDA_TEMP0、VDDA_TEMP1、VDDA_TEMP2、VDDA_TEMP3、VDDA_TEMP4、VDDA_WKUP
VDDS_DDR_* 包括：VDDS_DDR、VDDS_DDR_C0、VDDS_DDR_C1、VDDS_DDR_C2、VDDS_DDR_C3
VDDSHV* 包括：VDDSHV0、VDDSHV0_MCU、VDDSHV1_MCU、VDDSHV2、VDDSHV2_MCU、VDDSHV5

(4) 此參數(shù)適用于所有不具有失效防護功能的 IO 引腳，該要求適用于所有 IO 電源電壓值。例如，如果施加到特定 IO 電源的電壓為 0V，則由該電源供電的任何 IO 的有效輸入電壓范圍將為 –0.3V 至 +0.3V。每當(dāng)外設(shè)不是由用于為相應(yīng) IO 電源供電的相同電源供電時，都應(yīng)特別注意。所連接的外設(shè)絕不能提供超出有效輸入電壓范圍的電壓（包括電源斜升和斜降序列），這一點很重要。

(5) 對于電流脈沖注入：
引腳應(yīng)力符合 JEDEC JESD78E（II 級），并施加額定 I/O 引腳注入電流和鉗位電壓（最大推薦 I/O 電壓的 1.5 倍和最大推薦 I/O 電壓的負 0.5 倍）。
對于過壓性能：
電源應(yīng)力符合 JEDEC JESD78E（II 級）并施加額定電壓注入。

(6) 對于卷帶包裝，貯存溫度范圍為 [–10°C；+50°C]，最大相對濕度為 70%。TI 建議在使用前恢復(fù)到環(huán)境室溫。

(7) VDD 是 IO 相應(yīng)電源引腳上的電壓。

(8) VMON_ER_VSYS 引腳提供了一種監(jiān)測系統(tǒng)電源的方法。如需更多信息，請參閱使用 VMON/POK 的系統(tǒng)電源監(jiān)測設(shè)計指南。

(9) 需要使用外部電阻分壓器來限制施加到該器件引腳的電壓。如需更多信息，請參閱 USB VBUS 設(shè)計指南。

失效防護 IO 終端的設(shè)計使其不依賴于相應(yīng)的 IO 電源電壓。這樣便可在相應(yīng) IO 電源關(guān)閉時，將外部電壓源連接到這些 IO 終端。I2C0_SCL、I2C0_SDA、I2C1_SCL、I2C1_SDA、DDR_FS_RESETn 和 NMIn 是唯一的失效防護 IO 端子。所有其他 IO 終端都不具有失效防護功能，對其施加的電壓應(yīng)限制為絕對最大額定值中的“所有 IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓”參數(shù)定義的值。

A. T_overshoot + T_undershoot < T_period 的 20%

圖 6-1 IO 瞬態(tài)電壓范圍