9 修訂歷史記錄
All Revision History Changes Intro HTMLJune 30, 2024 to December 13, 2024 (from Revision* (JUNE 2024)to RevisionA (DECEMBER 2024))
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通篇:將文檔產(chǎn)品狀態(tài)從“預(yù)告信息”更新/更改為“量產(chǎn)數(shù)據(jù)”(“AND”機(jī)械型號封裝現(xiàn)為“量產(chǎn)數(shù)據(jù)”)Go
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通篇:在適用的情況下,為 PMIC_WAKE0 和 PMIC_WAKE1 信號添加了“(低電平有效)”并驗(yàn)證了“O”引腳類型。Go
- (特性):更新了/更改了 CSI2.0 要點(diǎn)并添加了子要點(diǎn)Go
- (器件比較):為清晰起見,更新/更改了 TDA4xPE 相關(guān)腳注Go
- (引腳屬性):在引腳屬性(AND 封裝)表中添加了“VPE4 APE4”列信息Go
- (引腳屬性):在“引腳屬性表頭列表”中添加了“VPE4 APE4”說明Go
- (DDRSS0 信號說明):刪除了內(nèi)部保留信號Go
- (SERDES0 信號說明):添加了 TDA4VPE4、TDA4APE4 信號可用性腳注Go
- (CPSW9X0 信號說明):添加了 TDA4VPE4、TDA4APE4 信號可用性腳注Go
- (USB0 信號說明):添加了 TDA4VPE4、TDA4APE4 信號可用性腳注Go
- (系統(tǒng)信號說明):向 PMIC_WAKE0 和 PMIC_WAKE1 引腳添加了“(低電平有效)”說明Go
- (速度等級最大頻率):更新/更改了該表中 T 器件速度的“VENCDEC”列值Go
- (CSI2/DSI D-PHY 電氣特性):刪除該表并添加了合規(guī)性規(guī)格注釋Go
- (SERDES 電氣特性):添加了 USXGMII 注釋以表明符合 IEEE 802.3 第 72-7 條和附錄 69BGo
- (建議的 OTP 電子保險絲編程操作條件):添加了 SR(VPP) VPP 上電壓擺率參數(shù)以闡明與此參數(shù)相關(guān)的限值僅適用于上電期間Go
- (WKUP_OSC0 內(nèi)部振蕩器時鐘源):更新/更改了 WKUP_OSC0 晶體電氣特性 表中的 Cshunt 晶體電路并聯(lián)電容內(nèi)容Go
- (WKUP_OSC0 內(nèi)部振蕩器時鐘源):添加了腳注以定義基于 Cshunt 晶體電路并聯(lián)電容參數(shù)選擇結(jié)果的最大 ESRxtal 晶體有效串聯(lián)電阻值Go
- (WKUP_OSC0 開關(guān)特性 - 晶體模式 [表]):將 XI、XO 和 XI 更新/更改為 XO 電容最大值Go
- (輔助 OSC1 內(nèi)部振蕩器時鐘源):更新/更改了 OSC1 晶體電氣特性 表中的 Cshunt 晶體電路并聯(lián)電容內(nèi)容Go
- (OSC1 開關(guān)特性 - 晶體模式 [表]):將 XI、XO 和 XI 更新/更改為 XO 電容最大值表中的值Go
- (GPIO):更新/更改了僅包含 TRM 和信號說明參考的導(dǎo)入內(nèi)容Go
- (GPIO):將 GPIO 時序條件 表中的 SRI 輸入壓擺率 I2C OD FS 最大值從 0.8V/ns 更新/更改為 0.08V/nsGo
- (I2C 時序):將 I2C 信號上升和下降時間要點(diǎn)的壓擺率拼寫錯誤從 0.8V/ns 更新/更改為 0.08V/ns(相當(dāng)于所述的 8E+7 值)Go
- (MCSPI 時序要求 - 控制器模式):將 SM1 tc(spiclk) 周期時間 (SPI_CLK) 最小值從 20.8ns 更新/更改為 20nsGo
- (MCSPI 開關(guān)特性 - 外設(shè)模式):將 SS1 tc(spiclk) 周期時間 (SPI_CLK) 最小值從 20.8ns 更新/更改為 20nsGo
- (MMC0 時序要求 - HS400 模式):添加了新表和關(guān)聯(lián)的時序圖像Go
- (MMC0 開關(guān)特性 - HS400 模式):將延遲時間參數(shù) HS4008 和 HS4009 替換為輸出建立和輸出保持參數(shù) HS4008、HS4009、HS40010 和 HS40011Go
- (eMMC 接口 - HS400 模式 - 發(fā)送器模式):更新了時序圖以匹配與參數(shù) HS4008、HS4009、HS40010 和 HS40011 相關(guān)的新定義Go
- (OSPI 時序條件):向表中添加了輸入壓擺率對應(yīng)的“1.8V,具有 DQS 的 PHY 數(shù)據(jù)訓(xùn)練 DDR”行Go
- (OSPI 時序條件):更新了“3.3V”和“所有其他模式”模式說明Go
- (具有 PHY 數(shù)據(jù)訓(xùn)練的 OSPI0/1):新增了新的部分Go
- (OSPI 開關(guān)特性 - PHY SDR 模式):更正了與時序參數(shù) O10 和 O11 相關(guān)的公式Go
- (OSPI 開關(guān)特性 - PHY DDR 模式):更正了與時序參數(shù) O4 和 O5 相關(guān)的公式Go
- (OSPI0/1 時序要求 - Tap SDR 模式):更新/更改了與 O19 和 O20 參數(shù)中的建立時間和保持時間最小值公式相關(guān)的常數(shù)值Go
- (OSPI0/1 時序要求 - Tap SDR 模式):將 R= 腳注“refclk”更新/更改為“基準(zhǔn)時鐘”以匹配技術(shù)參考手冊 (TRM) 中使用的時鐘名稱Go
- (OSPI0/1 時序要求 - Tap DDR 模式):更新/更改了與 O13 和 O14 參數(shù)中的建立時間和保持時間最小值公式相關(guān)的常數(shù)值Go
- (OSPI0/1 時序要求 - Tap DDR 模式):將 R= 腳注“refclk”更新/更改為“基準(zhǔn)時鐘”以匹配技術(shù)參考手冊 (TRM) 中使用的時鐘名稱Go
- (OSPI0/1 開關(guān)特性 - Tap DDR 模式):更新/更改了 O6 參數(shù)中的數(shù)據(jù)輸出延遲最小值和最大值公式Go
- (USB VBUS 設(shè)計(jì)指南):更新/更改了“USB VBUS 檢測分壓器/鉗位電路”圖Go
- (使用 VMON/POK 的系統(tǒng)電源監(jiān)測設(shè)計(jì)指南):更新/更改了“VMON2_IR_VCPU 引腳 …”段落Go
- (器件命名規(guī)則):將器件示例更新/更改為真正的 OPNGo
- (標(biāo)準(zhǔn)封裝編號法):更新了圖像以包含新的標(biāo)識Go
- (器件命名約定):更新/更改了“命名規(guī)則說明”表以包含新的標(biāo)識,例如添加了 2D 讀取器、其他基本器件型號等Go