ZHCSWQ7A June 2024 – December 2024 TDA4APE-Q1 , TDA4VPE-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
表 6-26 表示 CPSW2G 時序條件。
參數(shù) | 說明 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|---|
輸入條件 | ||||
SRI | 輸入信號壓擺率 | 0.9 | 3.6 | V/ns |
輸出條件 | ||||
CL | 輸出負(fù)載電容 | 10 | 470 | pF |
表 6-27、表 6-28 和圖 6-35 說明了 MDIO 的時序要求。
編號 | 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
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MDIO1 | tsu(mdioV-mdcH) | 建立時間,在 MDIO[x]_MDC 高電平之前 MDIO[x]_MDIO 有效 | 90 | ns | |
MDIO2 | th(mdcH-mdioV) | 保持時間,在 MDIO[x]_MDC 高電平之后 MDIO[x]_MDIO 有效 | 0 | ns |
編號 | 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 | |
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MDIO3 | tc(mdc) | 周期時間,MDIO[x]_MDC | 400 | ns | |
MDIO4 | tw(mdcH) | 脈沖持續(xù)時間,MDIO[x]_MDC 高電平 | 160 | ns | |
MDIO5 | tw(mdcL) | 脈沖持續(xù)時間,MDIO[x]_MDC 低電平 | 160 | ns | |
MDIO7 | td(mdcL-mdioV) | 延遲時間,MDIO[x]_MDC 低電平到 MDIO[x]_MDIO 有效 | -150 | 150 | ns |